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高精度1 μ m 位移传感器
- 2015-01-24 09:25
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- 来源：本站
数字摄像机的光学防抖系统，需要高精度地检测微小的位移，利用霍尔元件检测磁石的移动，可以达到这一目的。
位移在 1mm 以下的结构：如图 1 行示，利朋一个磁化方向与移动方向相同的磁石 ( 尺寸为 1.0mm × 1.0mm × 2.0mm) 和一个霍耳元件 (HG — 106C) ，就可实现位移检测。霍尔元件的感磁而与磁石表而的距离为 0.75mm ，在磁极附近，磁通量相对于位移呈理想的线性变化，故可达到 1 μ m 的检测精度。霍耳元件的输出电压约 100mV ，需要进行电压放大，电路如图 2 。
位移在 1mm~5.5mm 范围内的结构：
如图 3 所示，磁石 ( 尺寸为 4.9mm × 3.3mm × 3.2mm) ，的磁化方向与位移方向垂直，用两个霍耳元件 (HQ-0111) 检测，霍耳元件的感磁而与磁石表面的距离为 3.0mm ，两个霍耳元件的中心距为 3.0mm 。将两个霍耳元件的磁通量的差与磁通量的和相除 ( 差÷和 ) ，可得到相对于位移的线性变化。在 1mm 移动量以内可得到 2 μ m 以下的分辨率。
